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MRF18030BR3
廠商型號

MRF18030BR3

功能描述

THE RF MOSFET LINE RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS N - CHANNEL ENHANCEMENT - MODE LATERAL MOSFETS

文件大小

275.29 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Motorola, Inc
企業(yè)簡稱

Motorola摩托羅拉

中文名稱

加爾文制造公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-25 14:18:00

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MRF18030BR3規(guī)格書詳情

The RF MOSFET Line

RF Power Field Effect TransistorsThe RF MOSFET Line

N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs

Designed for GSM and EDGE base station applications with frequencies from 1.8 to 2.0 GHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. Specified for GSM 1930 – 1990 MHz.

? Typical GSM Performance:

Power Gain – 14 dB (Typ) @ 30 Watts

Efficiency – 50 (Typ) @ 30 Watts

? Internally Matched, Controlled Q, for Ease of Use

? High Gain, High Efficiency and High Linearity

? Integrated ESD Protection

? Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness

? Capable of Handling 5:1 VSWR, @ 26 Vdc, 30 W CW Output Power

? Excellent Thermal Stability

? Available in Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 32 mm, 13 inch Reel.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    MRF18030BR3

  • 制造商:

    FREESCALE

  • 制造商全稱:

    Freescale Semiconductor, Inc

  • 功能描述:

    THE RF MOSFET LINE RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS N - CHANNEL ENHANCEMENT - MODE LATERAL MOSFETS

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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