首頁(yè)>MRF19085LR3>規(guī)格書詳情

MRF19085LR3分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MRF19085LR3
廠商型號(hào)

MRF19085LR3

參數(shù)屬性

MRF19085LR3 封裝/外殼為SOT-957A;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 65V 1.99GHZ NI-780

功能描述

RF Power Field Effect Transistors

封裝外殼

SOT-957A

文件大小

584.79 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

12 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Motorola, Inc
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Motorola摩托羅拉

中文名稱

加爾文制造公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-5-25 9:48:00

人工找貨

MRF19085LR3價(jià)格和庫(kù)存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨

MRF19085LR3規(guī)格書詳情

The RF MOSFET Line

RF Power Field Effect Transistors

N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs

Designed for PCN and PCS base station applications with frequencies from 1.9 to 2.0 GHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications.

? Typical 2-Carrier N-CDMA Performance for VDD = 26 Volts,

IDQ = 850 mA, Pout = 18 Watts Avg., f1 = 1960 MHz, f2 = 1962.5 MHz

IS-95 CDMA (Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes 8 Through 13)

1.2288 MHz Channel Bandwidth Carrier. Adjacent Channels Measured

over a 30 kHz Bandwidth at f1 -885 Khz and f2 +885 kHz. Distortion

Products Measured over 1.2288 MHz Bandwidth at f1 -2.5 MHz and

f2 +2.5 MHz. Peak/Avg. = 9.8 dB @ 0.01 Probability on CCDF.

Output Power — 18 Watts Avg.

Power Gain — 13.0 dB

Efficiency — 23

ACPR — -51 dB

IM3 — -36.5 dBc

? Internally Matched, Controlled Q, for Ease of Use

? High Gain, High Efficiency and High Linearity

? Integrated ESD Protection

? Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness

? Capable of Handling 5:1 VSWR, @ 26 Vdc, 1.93 GHz, 90 Watts CW Output Power

? Excellent Thermal Stability

? Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters

? Available with Low Gold Plating Thickness on Leads. L Suffix Indicates 40μ″ Nominal.

? In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 Inch Reel.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MRF19085LR3

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    1.93GHz ~ 1.99GHz

  • 增益:

    13dB

  • 功率 - 輸出:

    18W

  • 封裝/外殼:

    SOT-957A

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    NI-780H-2L

  • 描述:

    FET RF 65V 1.99GHZ NI-780

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
FREESCALE
23+
TO-63
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
詢價(jià)
MOT
22+
高頻管
350
十七年VIP會(huì)員,誠(chéng)信經(jīng)營(yíng),一手貨源,原裝正品可零售!
詢價(jià)
FREESCALE
22+
NI-780
18000
原裝現(xiàn)貨原盒原包.假一罰十
詢價(jià)
FREESCALE
0511+
TO-63
36
原裝現(xiàn)貨
詢價(jià)
FREESCALE
22+
NI-780
18000
原裝現(xiàn)貨原盒原包.假一罰十
詢價(jià)
FREESCALE
23+
TO-59
8510
原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì)
詢價(jià)
24+
N/A
64000
一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇
詢價(jià)
FREESCALE
22+
TO-63
6000
進(jìn)口原裝 假一罰十 現(xiàn)貨
詢價(jià)
FREESCALE
0511+
TO-63
31050
原裝/報(bào)價(jià)當(dāng)天為準(zhǔn)
詢價(jià)
NXP USA Inc.
2022+
NI-780H-2L
38550
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷
詢價(jià)