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MRF19085LR3

RF Power Field Effect Transistors

TheRFMOSFETLine RFPowerFieldEffectTransistors N–ChannelEnhancement–ModeLateralMOSFETs DesignedforPCNandPCSbasestationapplicationswithfrequenciesfrom1.9to2.0GHz.SuitableforTDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications. ?Typical2-CarrierN-CDMAPerformanceforV

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MRF19085LR3

RF Power Field Effect Transistors

RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs DesignedforPCNandPCSbasestationapplicationswithfrequenciesfrom1900to2000MHz.SuitableforTDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications. ?Typical2-CarrierN-CDMAPerformanceforVDD=26Volts,

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF19085LR3

Package：SOT-957A；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：FET RF 65V 1.99GHZ NI-780

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    MRF19085LR3

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    LDMOS

  • 頻率：

    1.93GHz ~ 1.99GHz

  • 增益：

    13dB

  • 功率 - 輸出：

    18W

  • 封裝/外殼：

    SOT-957A

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    NI-780H-2L

  • 描述：

    FET RF 65V 1.99GHZ NI-780

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
MOTOROLA
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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更多MRF19085LR3供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-12 9:21:00

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