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MRF19090SR3分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料

MRF19090SR3
廠(chǎng)商型號(hào)

MRF19090SR3

參數(shù)屬性

MRF19090SR3 封裝/外殼為NI-880S;包裝為卷帶(TR);類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 65V 1.93GHZ NI-880S

功能描述

RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS

封裝外殼

NI-880S

文件大小

300.22 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠(chǎng)商 Motorola, Inc
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

Motorola摩托羅拉

中文名稱(chēng)

加爾文制造公司官網(wǎng)

原廠(chǎng)標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-25 19:00:00

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MRF19090SR3規(guī)格書(shū)詳情

The RF MOSFET Line

RF Power Field Effect Transistors

N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs

Designed for Class AB PCN and PCS base station applications with frequencies from 1.9 to 2.0 GHz. Suitable for CDMA, TDMA, GSM, and multicarrier amplifier applications.

? Typical CDMA Performance: 1990 MHz, 26 Volts

IS–97 CDMA Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes 8 Through 13

Output Power — 9 Watts

Power Gain — 10 dB

Adjacent Channel Power —

885 kHz: –47 dBc @ 30 kHz BW

1.25 MHz: –55 dBc @ 12.5 kHz BW

2.25 MHz: –55 dBc @ 1 MHz BW

? Internally Matched, Controlled Q, for Ease of Use

? High Gain, High Efficiency and High Linearity

? Integrated ESD Protection

? Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness

? Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 26 Vdc, 1.93 GHz, 90 Watts (CW) Output Power

? Excellent Thermal Stability

? Characterized with Series Equivalent Large–Signal Impedance Parameters

? Available in Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 inch Reel.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MRF19090SR3

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類(lèi)型:

    LDMOS

  • 頻率:

    1.93GHz

  • 增益:

    11.5dB

  • 功率 - 輸出:

    90W

  • 封裝/外殼:

    NI-880S

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    NI-880S

  • 描述:

    FET RF 65V 1.93GHZ NI-880S

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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