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MRF21010LR1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
MRF21010LR1 |
| 參數(shù)屬性 | MRF21010LR1 封裝/外殼為NI-360；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：FET RF 65V 2.17GHZ NI-360 |
| 功能描述 | RF Power Field Effect Transistors |
| 封裝外殼 | NI-360 |
| 文件大小 |
182.18 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
4 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
| 企業(yè)簡稱 |
NJSEMI【新澤西半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-2-14 20:00:00 |
MRF21010LR1規(guī)格書詳情
The RF MOSFET Line
RF Power Field Effect Transistors
N- Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
Designed for W-CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN-PCS/cellular radio and WLL applications.
. Typical W-CDMA Performance: -45dBc ACPR, 2140 MHz, 28 Volts,
5 MHz Offset/4.096 MHz BW, 15 DTCH
Output Power — 2.1 Watts
Power Gain — 13.5 dB
Efficiency — 21
? High Gain, High Efficiency and High Linearity
? Integrated ESDProtection
? Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness
. Capable ofHandling 10:1 VSWR @ 28 Vdc, 2170 MHz, 10 Watts CW Output Power
? Excellent Thermal Stability
? Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters
? In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per 32 mm, 13 Inch Reel.
? Low Gold Plating Thickness on Leads. L Suffix Indicates 40|j Nominal.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
MRF21010LR1
- 制造商：
NXP USA Inc.
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
LDMOS
- 頻率：
2.17GHz
- 增益：
13.5dB
- 功率 - 輸出：
10W
- 封裝/外殼：
NI-360
- 供應(yīng)商器件封裝：
NI-360
- 描述：
FET RF 65V 2.17GHZ NI-360
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FSL |
23+ |
NA/ |
33 |
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詢價 | ||
Freescale |
NA |
5500 |
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24+ |
2789 |
全新原裝自家現(xiàn)貨!價格優(yōu)勢! |
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Freescale |
24+ |
SMD |
5500 |
長期供應(yīng)原裝現(xiàn)貨實單可談 |
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高頻管 |
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