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MRF21010LR1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MRF21010LR1
廠商型號

MRF21010LR1

參數(shù)屬性

MRF21010LR1 封裝/外殼為NI-360;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 65V 2.17GHZ NI-360

功能描述

RF Power Field Effect Transistors

封裝外殼

NI-360

文件大小

182.18 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡稱

NJSEMI新澤西半導(dǎo)體

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-4-30 13:44:00

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MRF21010LR1規(guī)格書詳情

The RF MOSFET Line

RF Power Field Effect Transistors

N- Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

Designed for W-CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN-PCS/cellular radio and WLL applications.

. Typical W-CDMA Performance: -45dBc ACPR, 2140 MHz, 28 Volts,

5 MHz Offset/4.096 MHz BW, 15 DTCH

Output Power — 2.1 Watts

Power Gain — 13.5 dB

Efficiency — 21

? High Gain, High Efficiency and High Linearity

? Integrated ESDProtection

? Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness

. Capable ofHandling 10:1 VSWR @ 28 Vdc, 2170 MHz, 10 Watts CW Output Power

? Excellent Thermal Stability

? Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters

? In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per 32 mm, 13 Inch Reel.

? Low Gold Plating Thickness on Leads. L Suffix Indicates 40|j Nominal.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MRF21010LR1

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    2.17GHz

  • 增益:

    13.5dB

  • 功率 - 輸出:

    10W

  • 封裝/外殼:

    NI-360

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    NI-360

  • 描述:

    FET RF 65V 2.17GHZ NI-360

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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