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MRF21010LR1

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

TheRFMOSFETLine RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs DesignedforW-CDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom2110to2170MHz.SuitableforFM,TDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications.TobeusedinClassABforPCN-PCS/cellular

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MRF21010LR1

RF Power Field Effect Transistors

TheRFMOSFETLine RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs DesignedforW-CDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom2110to2170MHz.SuitableforFM,TDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications.TobeusedinClassABforPCN-PCS/cellular

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

MRF21010LR1

RF Power Field Effect Transistors

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF21010LR1

Package:NI-360;包裝:散裝 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:FET RF 65V 2.17GHZ NI-360

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

MRF21010LR1_06

RF Power Field Effect Transistors

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MRF21010LR1

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    2.17GHz

  • 增益:

    13.5dB

  • 功率 - 輸出:

    10W

  • 封裝/外殼:

    NI-360

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    NI-360

  • 描述:

    FET RF 65V 2.17GHZ NI-360

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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房間現(xiàn)貨庫存:QQ:373621633
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更多MRF21010LR1供應(yīng)商 更新時間2025-2-14 10:30:00