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MRFE6VP61K25HSR6

RF Power Field Effect Transistors High Ruggedness N--Channel Enhancement--Mode

RFPowerLDMOSTransistors HighRuggednessN--Channel Enhancement--ModeLateralMOSFETs ThesehighruggednessdevicesaredesignedforuseinhighVSWRindustrial(includinglaserandplasmaexciters),broadcast(analoganddigital),aerospaceandradio/landmobileapplications.Theyareunmatc

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRFE6VP61K25HSR6

RF Power Field Effect Transistors Enhancement--Mode Lateral MOSFETs

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRFE6VP61K25HSR6

RF Power LDMOS Transistors

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRFE6VP61K25HSR6

Package:NI-1230S;包裝:管件 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230S

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MRFE6VP61K25HSR6

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    管件

  • 晶體管類型:

    LDMOS(雙)

  • 頻率:

    230MHz

  • 增益:

    24dB

  • 功率 - 輸出:

    1250W

  • 封裝/外殼:

    NI-1230S

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    NI-1230S

  • 描述:

    FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230S

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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更多MRFE6VP61K25HSR6供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-11 18:28:00