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MRFG35010分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MRFG35010
廠商型號

MRFG35010

參數(shù)屬性

MRFG35010 封裝/外殼為NI-360HF;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 15V 3.55GHZ NI360HF

功能描述

Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor

封裝外殼

NI-360HF

文件大小

532.61 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 Freescale Semiconductor, Inc
企業(yè)簡稱

freescale飛思卡爾

中文名稱

飛思卡爾半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-21 20:17:00

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MRFG35010規(guī)格書詳情

Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor

Designed for WLL/MMDS or UMTS driver applications with frequencies from 1.8 to 3.6 GHz. Device is unmatched and is suitable for use in Class AB or Class A linear base station applications.

? Typical W?CDMA Performance: ?42 dBc ACPR, 3.55 GHz, 12 Volts,

IDQ = 180 mA, 5 MHz Offset/3.84 MHz BW, 64 DPCH (8.5 dB P/A

@ 0.01 Probability)

Output Power — 1 Watt

Power Gain — 10 dB

Efficiency — 30

? 10 Watts P1dB @ 3.55 GHz

? Excellent Phase Linearity and Group Delay Characteristics

? High Gain, High Efficiency and High Linearity

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MRFG35010

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    pHEMT FET

  • 頻率:

    3.55GHz

  • 增益:

    10dB

  • 功率 - 輸出:

    9W

  • 封裝/外殼:

    NI-360HF

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    NI-360HF

  • 描述:

    FET RF 15V 3.55GHZ NI360HF

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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