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MS1008分立半導體產品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MS1008
廠商型號

MS1008
參數屬性

MS1008 封裝/外殼為M164；包裝為托盤；類別為分立半導體產品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產品描述：RF TRANS NPN 55V 30MHZ M164
功能描述

10 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
RF TRANS NPN 55V 30MHZ M164
封裝外殼

M164
文件大小

120.53 Kbytes
頁面數量

2 頁
生產廠商 Microsemi Corporation
企業(yè)簡稱

Microsemi【美高森美】

中文名稱

美高森美公司官網
原廠標識
數據手冊

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更新時間

2025-4-29 22:50:00
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MS1008規(guī)格書詳情

MS1008屬于分立半導體產品的晶體管-雙極（BJT）-射頻。由美高森美公司制造生產的MS1008晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件，用于在涉及射頻的設備中開關或放大信號。雙極結型晶體管設計為 NPN 或 PNP，特征參數包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

10 Amp Schottky Barrier Rectifiers

● Schottky barrier rectifier

● Guard ring for reverse protection

● Low power loss, high efficiency

● High surge capacity

● VRRM 80 to 90 Volts

產品屬性

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  • 產品編號：

    MS1008

  • 制造商：

    Microsemi Corporation

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    55V

  • 頻率 - 躍遷：

    30MHz

  • 增益：

    14dB

  • 功率 - 最大值：

    233W

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    15 @ 1.4A，6V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    10A

  • 工作溫度：

    200°C（TJ）

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 封裝/外殼：

    M164

  • 供應商器件封裝：

    M164

  • 描述：

    RF TRANS NPN 55V 30MHZ M164

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