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MTB6N60

TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 600 VOLTS

TMOSE-FET?HighEnergyPowerFETD2PAK-SLStraightLead N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecoverytime.De

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTB6N60

TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 600 VOLTS

TMOSE-FET?HighEnergyPowerFETD2PAKforSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TheD2PAKpackagehasthecapabilityofhousingalargerdiethananyexistingsurfacemountpackagewhichallowsittobeusedinapplicationsthatrequiretheuseofsurfacemountcomponentswith

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTB6N60E

TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 600 VOLTS

TMOSE-FET?HighEnergyPowerFETD2PAKforSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TheD2PAKpackagehasthecapabilityofhousingalargerdiethananyexistingsurfacemountpackagewhichallowsittobeusedinapplicationsthatrequiretheuseofsurfacemountcomponentswith

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTB6N60E1

TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 600 VOLTS

TMOSE-FET?HighEnergyPowerFETD2PAK-SLStraightLead N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecoverytime.De

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTB6N60E1

High Energy PowerFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MTH6N60

PowerFieldEffectTransistor

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

MTH6N60

PowerFieldEffectTransistor

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTH6N60

PowerFieldEffectTransistor

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

MTH6N60

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.2Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MTM6N60

PowerFieldEffectTransistor

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    MTB6N60

  • 制造商：

    MOTOROLA

  • 制造商全稱：

    Motorola, Inc

  • 功能描述：

    TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 600 VOLTS

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
MOTOROLA/摩托羅拉
24+
2000
只做原廠渠道 可追溯貨源
 詢價(jià)
ON
24+
TO-263
504539
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
 詢價(jià)
MOTOROLA
24+
TO-263
4341
詢價(jià)
ON
23+
TO-263
11846
一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
 詢價(jià)
MOTOROLA
08+
2000
普通
 詢價(jià)
MOTOROLA/摩托羅拉
2022+
2000
原廠代理 終端免費(fèi)提供樣品
 詢價(jià)
MOTOROLA/摩托羅拉
21+
9852
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十!
 詢價(jià)
MOTOROLA/摩托羅拉
23+
SOT-263
15040
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種
 詢價(jià)
MOTOROLA
22+
TO-263
3000
原裝正品,支持實(shí)單
 詢價(jià)
ON/安森美
23+
TO-263
6000
原裝正品，支持實(shí)單
 詢價(jià)
更多MTB6N60供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-26 16:36:00

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