首頁(yè)>MTD6N20E>芯片詳情

MTD6N20E_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_MOSFET NFET DPAK 200V 6A 700MO利芯偉業(yè)科技

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    MTD6N20E

  • 產(chǎn)品分類(lèi)：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ON(安森美)

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    8000

  • 產(chǎn)品封裝：

    標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    2021/2022+

  • 庫(kù)存類(lèi)型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-3-20 15:47:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書(shū)下載

原廠料號(hào)：MTD6N20E品牌：ON(安森美)

原廠原裝現(xiàn)貨訂貨價(jià)格優(yōu)勢(shì)終端BOM表可配單提供樣品

  • 芯片型號(hào)：

    MTD6N20E

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱(chēng)：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱(chēng)：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    9 頁(yè)

  • 文件大小：

    90.4 kb

  • 資料說(shuō)明：

    Power MOSFET 6 Amps, 200 Volts N??hannel DPAK

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 型號(hào)：

    MTD6N20E

  • 功能描述：

    MOSFET NFET DPAK 200V 6A 700MO

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市利芯偉業(yè)科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    曹小姐/李小姐

  • 手機(jī)：

    18123723053

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    18123723053

  • 地址：

    深圳市南山區(qū)西麗街道大磡社區(qū)王京坑村87號(hào)南4102

相近型號(hào)