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MW6S004N

RF Power Field Effect Transistor

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

MW6S004NT1

RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

1-2000MHz,4W,28VLATERALN-CHANNELRFPOWERMOSFET DesignedforClassAorClassABbasestationapplicationswithfrequenciesupto2000MHz.Suitableforanaloganddigitalmodulationandmulticarrieramplifierapplications. ?TypicalTwo-TonePerformance@1960MHz,28Volts,IDQ=50mA

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MW6S004NT1

RF Power Field Effect Transistor

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MW6S004NT1

RF Power Field Effect Transistor

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

MW6S004NT1_07

RF Power Field Effect Transistor

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MW6S004NT1

Package:PLD-1.5;包裝:散裝 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:FET RF 68V 1.96GHZ PLD-1.5

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    MW6S004N

  • 功能描述:

    射頻MOSFET電源晶體管 HV6 1950MHZ 2W PLD1.5N

  • RoHS:

  • 制造商:

    Freescale Semiconductor

  • 配置:

    Single

  • 頻率:

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益:

    27 dB

  • 輸出功率:

    100 W

  • 封裝/箱體:

    NI-780-4

  • 封裝:

    Tray

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
Freescale(飛思卡爾)
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標(biāo)準(zhǔn)封裝
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我們只是原廠的搬運(yùn)工
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NXP
1645+
?
7500
只做原裝進(jìn)口,假一罰十
詢價(jià)
更多MW6S004N供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-11 15:02:00