MW6S010分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
MW6S010 |
參數(shù)屬性 | MW6S010 封裝/外殼為TO-270BA;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2 GULL |
功能描述 | RF Power Field Effect Transistor |
封裝外殼 | TO-270BA |
文件大小 |
542.96 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
16 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Freescale Semiconductor, Inc |
企業(yè)簡稱 |
freescale【飛思卡爾】 |
中文名稱 | 飛思卡爾半導(dǎo)體官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-5-19 23:00:00 |
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MW6S010規(guī)格書詳情
450-1500 MHz, 10 W, 28 V LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFETs
Designed for Class A or Class AB base station applications with frequencies up to 1500 MHz. Suitable for analog and digital modulation and multicarrier amplifier applications.
? Typical Two-Tone Performance @ 960 MHz, VDD = 28 Volts, IDQ = 125 mA, Pout = 10 Watts PEP
Power Gain — 18 dB
Drain Efficiency — 32
IMD — -37 dBc
? Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 28 Vdc, 960 MHz, 10 Watts CW Output Power
? Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters
? On-Chip RF Feedback for Broadband Stability
? Qualified Up to a Maximum of 32 VDD Operation
? Integrated ESD Protection
? N Suffix Indicates Lead-Free Terminations
? 200°C Capable Plastic Package
? In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per 24 mm, 13 inch Reel.
CASE 1265-08, STYLE 1 TO-270-2 PLASTIC MW6S010NR1(MR1)
CASE 1265A-02, STYLE 1 TO-270-2 GULL PLASTIC MW6S010GNR1(GMR1)
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
MW6S010GNR1
- 制造商:
NXP USA Inc.
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 包裝:
托盤
- 晶體管類型:
LDMOS
- 頻率:
960MHz
- 增益:
18dB
- 功率 - 輸出:
10W
- 封裝/外殼:
TO-270BA
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-270-2 鷗翼型
- 描述:
RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2 GULL
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP(恩智浦) |
24+ |
TO2702GULL |
7350 |
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詢價 | ||
Freescale(飛思卡爾) |
24+ |
NA/ |
8735 |
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FREESCALE |
23+ |
原廠原包封裝 |
20000 |
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Freescal |
20+ |
高頻管 |
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FREESCALE |
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FREESCALE |
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FREESCA |
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FREESCALE |
23+ |
原廠封裝 |
90000 |
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FSL |
24+ |
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