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PBRN113ZK

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=1kW,R2=10kW

Features *800mAoutputcurrentcapability *HighcurrentgainhFE *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts *±10resistorratiotolerance

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安世安世半導體(中國)有限公司

PBRN113ZS

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=1k??R2=10k?

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

PBRN113ZS

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=1kW,R2=10kW

Features *800mAoutputcurrentcapability *HighcurrentgainhFE *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts *±10resistorratiotolerance

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安世安世半導體(中國)有限公司

PBRN113ZT

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=1k??R2=10k?

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

PBRN113ZT

40V,600mANPNPBRET;R1=1kΩ,R2=10kΩ

1.Generaldescription NPNlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBRP113ZT 2.Featuresandbenefits ?600mAoutputcurrentcapability ?Lowcollector-emittersaturation

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安世安世半導體(中國)有限公司

PBRN113ZT

NPN800mA,40VBISSRETs;R1=1kW,R2=10kW

Features *800mAoutputcurrentcapability *HighcurrentgainhFE *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts *±10resistorratiotolerance

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安世安世半導體(中國)有限公司

PBRN113ZT-Q

40V,600mANPNPBRET;R1=1kΩ,R2=10kΩ

1.Generaldescription NPNlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBRP113ZT-Q 2.Featuresandbenefits ?600mAoutputcurrentcapability ?Lowcollector-emittersaturati

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PBRP113ET

PNP800mA,40VBISSRET;R1=1kW,R2=1kW

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

PBRP113ET

40V,600mAPNPPBRET;R1=1kΩ,R2=1kΩ

1.Generaldescription PNPlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBRN113ET 2.Featuresandbenefits ?600mAoutputcurrentcapability ?Lowcollector-emittersaturation

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安世安世半導體(中國)有限公司

PBRP113ET-Q

40V,600mAPNPPBRET;R1=1kΩ,R2=1kΩ

1.Generaldescription PNPlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBRN113ET-Q 2.Featuresandbenefits ?600mAoutputcurrentcapability ?Lowcollector-emittersaturati

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    N113B

  • 制造商：

    Switchcraft Inc.

  • 類別：

    連接器，互連器件 > 音頻連接器

  • 系列：

    Hi-D? NL11

  • 連接器類型：

    電話插孔

  • 公母：

    母頭

  • 信號線：

    立體聲（3 導體，TRS）

  • 業(yè)內公認的配接直徑：

    6.35mm（0.250"，1/4"）- 耳機

  • 實際直徑：

    0.250"（6.35mm）

  • 針位/觸頭數(shù)：

    3 導線，4 觸點

  • 內部開關：

    單開關

  • 安裝類型：

    面板安裝，通孔

  • 端接：

    焊接孔眼

  • 屏蔽：

    無屏蔽

  • 特性：

    安裝硬件，螺紋鎖

  • 工作溫度：

    -20°C ~ 65°C

  • 描述：

    CONN JACK STEREO 6.35MM PNL MNT

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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