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NCE30H11K

Marking：NCE30H11K；Package：TO-252-2L；NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description TheNCE30H11Kusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It canbeusedinawidevarietyofapplications.GeneralFeatures ●VDS=30V,ID=110A RDS(ON)

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司

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更多NCE30H11K供應(yīng)商 更新時間2025-5-4 11:10:00

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