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NCE30P55L

Marking：NCE30P55L；Package：TO-251S；NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description TheNCE30P55Lusesadvancedtrenchtechnologyanddesign toprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Thisdeviceis wellsuitedforhighcurrentloadapplications. GeneralFeatures ●VDS=-30V,ID=-55A RDS(ON)

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司

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更多NCE30P55L供應商 更新時間2025-5-4 13:02:00

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