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NE68133-T1B分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

NE68133-T1B
廠商型號(hào)

NE68133-T1B

參數(shù)屬性

NE68133-T1B 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT23

功能描述

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT23

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

663.14 Kbytes

頁面數(shù)量

21

生產(chǎn)廠商 California Eastern Labs
企業(yè)簡(jiǎn)稱

CEL

中文名稱

California Eastern Labs官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-20 17:30:00

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NE68133-T1B規(guī)格書詳情

NE68133-T1B屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻。由California Eastern Labs制造生產(chǎn)的NE68133-T1B晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號(hào)。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計(jì)為 NPN 或 PNP,特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    NE68133-T1B-R33-A

  • 制造商:

    CEL

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    10V

  • 頻率 - 躍遷:

    9GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):

    1.2dB @ 1GHz

  • 增益:

    13dB

  • 功率 - 最大值:

    200mW

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 20mA,8V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    65mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-23-3

  • 描述:

    RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT23

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ZXV
SOT-23
90000
原裝現(xiàn)貨支持BOM配單服務(wù)
詢價(jià)
CEL
23+
原廠原包
19960
只做進(jìn)口原裝 終端工廠免費(fèi)送樣
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NEC
23+
SOT-143
50000
原裝正品 支持實(shí)單
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RENESAS
23+
SOT-143
63000
原裝正品現(xiàn)貨
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NEC
20+
SOT143
49000
原裝優(yōu)勢(shì)主營型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票
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NEC(VA)
23+
原廠封裝
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原廠原封
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原裝正品
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NEC
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SOT143
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SOT143
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SOT143
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