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NE851M33分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料

NE851M33
廠商型號

NE851M33
參數(shù)屬性

NE851M33 封裝/外殼為3-SMD，扁平引線；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 5.5V 4.5GHZ 3SMINI
功能描述

NECs NPN SILICON TRANSISTOR
RF TRANS NPN 5.5V 4.5GHZ 3SMINI
封裝外殼

3-SMD，扁平引線
文件大小

346.8 Kbytes
頁面數(shù)量

6 頁
生產(chǎn)廠商 California Eastern Labs
企業(yè)簡稱

CEL

中文名稱

California Eastern Labs官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二
更新時間

2025-2-22 14:56:00
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NE851M33規(guī)格書詳情

NE851M33屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻。由California Eastern Labs制造生產(chǎn)的NE851M33晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件，用于在涉及射頻的設備中開關或放大信號。雙極結(jié)型晶體管設計為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    NE851M33-T3-A

  • 制造商：

    CEL

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    5.5V

  • 頻率 - 躍遷：

    4.5GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）：

    1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz

  • 功率 - 最大值：

    130mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    100 @ 5mA，1V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    100mA

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    3-SMD，扁平引線

  • 供應商器件封裝：

    3 針 SuperMiniMold（M33）

  • 描述：

    RF TRANS NPN 5.5V 4.5GHZ 3SMINI

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