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NFAQ1060L36T分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的功率驅(qū)動(dòng)器模塊規(guī)格書PDF中文資料

NFAQ1060L36T
廠商型號(hào)

NFAQ1060L36T

參數(shù)屬性

NFAQ1060L36T 封裝/外殼為38-PowerDIP 模塊(0,610",24,00mm),24 引線;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的功率驅(qū)動(dòng)器模塊;產(chǎn)品描述:INTELLIGENT POWER MODULE (IPM),

功能描述

Intelligent Power Module (IPM) 600 V, 10 A
INTELLIGENT POWER MODULE (IPM),

封裝外殼

38-PowerDIP 模塊(0,610",24,00mm),24 引線

文件大小

511.45 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-2-19 22:59:00

NFAQ1060L36T規(guī)格書詳情

NFAQ1060L36T屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的功率驅(qū)動(dòng)器模塊。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NFAQ1060L36T功率驅(qū)動(dòng)器模塊功率驅(qū)動(dòng)器模塊為電源組件(通常為半橋或單相、兩相或三相配置的 IGBT 和 MOSFET)提供物理防護(hù)。功率半導(dǎo)體或裸片將焊接或燒結(jié)在基材上,后者可承載功率半導(dǎo)體并在需要時(shí)提供電和熱觸點(diǎn)以及電絕緣。功率模塊提供更高的功率密度,并且在許多情況下更可靠且更易于冷卻。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    NFAQ1060L36T

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 功率驅(qū)動(dòng)器模塊

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 類型:

    IGBT

  • 配置:

    三相反相器

  • 電壓 - 隔離:

    2000Vrms

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    38-PowerDIP 模塊(0,610",24,00mm),24 引線

  • 描述:

    INTELLIGENT POWER MODULE (IPM),

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
onsemi(安森美)
23+
DIP-38
1189
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)
詢價(jià)
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24+
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原廠原裝正品現(xiàn)貨,代理渠道,支持訂貨!!!
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DIP38, 29.60x18.20x7.70, 1.00P
25000
ON全系列可訂貨
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23+
6000
誠信服務(wù),絕對(duì)原裝原盤
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