NGB8207N分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
NGB8207N |
| 參數(shù)屬性 | NGB8207N 封裝/外殼為TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 365V 20A 165W D2PAK |
| 功能描述 | Ignition IGBT 20 A, 365 V, N??hannel D2PAK |
| 封裝外殼 | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB |
| 文件大小 |
91.9 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
7 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-3-22 23:28:00 |
| 人工找貨 | NGB8207N價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
NGB8207N規(guī)格書詳情
NGB8207N屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NGB8207N晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
NGB8207NT4G
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2.6V @ 4V，20A
- 輸入類型：
邏輯
- 工作溫度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
- 供應(yīng)商器件封裝：
D2PAK
- 描述：
IGBT 365V 20A 165W D2PAK
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
2016+ |
TO263 |
14822 |
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票! |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
23+ |
NA/ |
3336 |
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票 |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
22+ |
SOT-263 |
100000 |
代理渠道/只做原裝/可含稅 |
詢價(jià) | ||
ON |
24+ |
TO263 |
20000 |
全新原廠原裝，進(jìn)口正品現(xiàn)貨，正規(guī)渠道可含稅?。?/div> |
詢價(jià) | ||
ON |
23+ |
NA |
809 |
專做原裝正品,假一罰百! |
詢價(jià) | ||
ON |
TO263 |
14822 |
一級代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢長期供貨 |
詢價(jià) | |||
ON |
24+ |
D2PAK3LEAD |
8866 |
詢價(jià) | |||
ON/安森美 |
22+ |
TO-263 |
25000 |
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單 |
詢價(jià) | ||
ON Semiconductor |
23+ |
D2PAK |
8000 |
只做原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
ON Semiconductor |
2022+ |
D2PAK |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷 |
詢價(jià) |
