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NGB8245N分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

NGB8245N
廠商型號

NGB8245N

參數(shù)屬性

NGB8245N 封裝/外殼為TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 490V 20A 150W D2PAK3

功能描述

Gate??mitter ESD Protection

封裝外殼

TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

文件大小

292.44 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 littelfuse
企業(yè)簡稱

Littelfuse力特

中文名稱

力特公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-23 16:47:00

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NGB8245N規(guī)格書詳情

Ignition IGBT

20 A, 450 V, N?Channel D2PAK

This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features monolithic circuitry integrating ESD and Overvoltage clamped protection for use in inductive coil drivers applications. Primary uses include Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage and high current switching is required.

Features

? Ideal for Coil?on?Plug and Driver?on?Coil Applications

? D2PAK Package Offers Smaller Footprint for Increased Board Space

? Gate?Emitter ESD Protection

? Temperature Compensated Gate?Collector Voltage Clamp Limits Stress Applied to Load

? Low Threshold Voltage for Interfacing Power Loads to Logic or Microprocessor Devices

? Low Saturation Voltage

? High Pulsed Current Capability

? This is a Pb?Free Device

Applications

? Ignition Systems

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    NGB8245NT4G

  • 制造商:

    Littelfuse Inc.

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2V @ 4V,15A

  • 輸入類型:

    邏輯

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

  • 供應商器件封裝:

    D2PAK

  • 描述:

    IGBT 490V 20A 150W D2PAK3

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