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NGD8205AN

Ignition IGBT 20 Amp, 350 Volt, N.Channel DPAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NGD8205AN

Integrated ESD Diode Protection

Littelfuselittelfuse

力特力特公司

NGD8205ANT4G

Ignition IGBT 20 Amp, 350 Volt, N.Channel DPAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NGD8205ANT4G

Package：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝：管件 類別：分立半導體產品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 390V 20A DPAK

Littelfuse Inc.

Littelfuse Inc.

Littelfuse Inc.

NGD8205N

IgnitionIGBT20Amp,350Volt,N??hannelDPAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

OKY8205

DISCOMETáLICOPARASERVOMOTORMG995MG996RPARABRAZOROBóTICO

Descripción: DiscometálicoparaservomotorMG995MG996Rparabrazorobótico.

AGELECTRONICA

AG Electronica

OPA8205PPS

InfraredPin-PointLEDChip

KODENSHIKODENSHI_AUK CORP.

可天士可天士光電子集團

P8205

SMTCURRENTSENSETRANSFORMERS

pulse

Pulse A Technitrol Company

P8205

smtCurrentSenseTransformers

pulse

Pulse A Technitrol Company

P8205NL

SMTCURRENTSENSETRANSFORMERS

pulse

Pulse A Technitrol Company

詳細參數

  • 型號：

    NGD8205AN

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ON
2016+
TO252
28374
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票!
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24+
TO252
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只做原裝公司現貨
 詢價
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23+
TO-252
11846
一級代理商現貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
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ON
24+
TO252
90000
一級代理商進口原裝現貨、價格合理
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三年內
1983
只做原裝正品
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20000
原廠原裝正品現貨
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2020+
SOT-252
80000
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增
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ON/LITTELFUSE
21+
TO-252
30000
只做正品原裝現貨
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ON Semiconductor
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ON/安森美
22+
SOT-252
20000
保證原裝正品,假一陪十
 詢價
更多NGD8205AN供應商 更新時間2025-2-7 10:43:00

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