NGTB15N60S1EG 分立半導體產品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導體

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廠家型號：
NGTB15N60S1EG
產品分類：
芯片
生產廠商：
ON
庫存數(shù)量：
70000
產品封裝：
N/A
生產批號：
2024+
庫存類型：
優(yōu)勢庫存
更新時間：
2025-2-20 13:52:00

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原廠料號：NGTB15N60S1EG品牌：ON

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NGTB15N60S1EG是分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ON/onsemi生產封裝N/A/TO-220-3的NGTB15N60S1EG晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

芯片型號：
NGTB15N60S1EG
規(guī)格書：
下載下載2
企業(yè)簡稱：
ONSEMI【安森美半導體】詳情
廠商全稱：
ON Semiconductor
中文名稱：
安森美半導體公司
內容頁數(shù)：
10 頁
文件大?。?/span>
179.23 kb
資料說明：
IGBT - Short-Circuit Rated

產品屬性

類型
描述
產品編號：
NGTB15N60S1EG
制造商：
onsemi
類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
包裝：
管件
IGBT 類型：
NPT
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
1.7V @ 15V，15A
開關能量：
550μJ（開），350μJ（關）
輸入類型：
標準
25°C 時 Td（開/關）值：
65ns/170ns
測試條件：
400V，15A，22 歐姆，15V
工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3
供應商器件封裝：
TO-220AB
描述：
IGBT 600V 30A 117W TO220-3

供應商

企業(yè)：
柒號芯城電子商務(深圳)有限公司
商鋪：
進入商鋪
聯(lián)系人：
連小若
手機：
18922805453
詢價：
電話：
0755-83663056
傳真：
0755-83209937
地址：
福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓

NGTB15N60S1EG 分立半導體產品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導體

NGTB15N60S1EG

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