NGTB35N65FL2WG 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

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廠家型號(hào)：
NGTB35N65FL2WG
產(chǎn)品分類(lèi)：
芯片
生產(chǎn)廠商：
onsemi/安森美
庫(kù)存數(shù)量：
15
產(chǎn)品封裝：
NA
生產(chǎn)批號(hào)：
兩年內(nèi)
庫(kù)存類(lèi)型：
常用庫(kù)存
更新時(shí)間：
2025-2-7 10:47:00

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原廠料號(hào)：NGTB35N65FL2WG品牌：onsemi/安森美

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NGTB35N65FL2WG是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商onsemi/安森美/onsemi生產(chǎn)封裝NA/TO-247-3的NGTB35N65FL2WG晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

芯片型號(hào)：
NGTB35N65FL2WG
規(guī)格書(shū)：
下載下載2
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情
廠商全稱(chēng)：
ON Semiconductor
中文名稱(chēng)：
安森美半導(dǎo)體公司
內(nèi)容頁(yè)數(shù)：
9 頁(yè)
文件大?。?/span>
231.34 kb
資料說(shuō)明：
IGBT - Field Stop II

產(chǎn)品屬性

類(lèi)型
描述
產(chǎn)品編號(hào)：
NGTB35N65FL2WG
制造商：
onsemi
類(lèi)別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
包裝：
管件
IGBT 類(lèi)型：
溝槽型場(chǎng)截止
不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，35A
開(kāi)關(guān)能量：
840μJ（開(kāi)），280μJ（關(guān)）
輸入類(lèi)型：
標(biāo)準(zhǔn)
25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：
72ns/132ns
測(cè)試條件：
400V，35A，10 歐姆，15V
工作溫度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類(lèi)型：
通孔
封裝/外殼：
TO-247-3
供應(yīng)商器件封裝：
TO-247-3
描述：
IGBT TRENCH/FS 650V 70A TO247

供應(yīng)商

企業(yè)：
深圳良洲科技有限公司
商鋪：
進(jìn)入商鋪
聯(lián)系人：
楊夢(mèng)琪
手機(jī)：
19128244554
詢價(jià)：
電話：
0755-21010605
地址：
深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)華強(qiáng)北路1005、1007、1015號(hào)華強(qiáng)電子世界2號(hào)樓2層22C081

NGTB35N65FL2WG 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

NGTB35N65FL2WG

產(chǎn)品屬性

供應(yīng)商

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