NSBC113EPDXV6T1G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 陣列 - 預(yù)偏置 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

原廠料號(hào)：NSBC113EPDXV6T1G品牌：onsemi

晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品

NSBC113EPDXV6T1G是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 陣列 - 預(yù)偏置。制造商onsemi生產(chǎn)封裝NA/的NSBC113EPDXV6T1G晶體管 - 雙極（BJT）- 陣列 - 預(yù)偏置預(yù)偏置的雙極晶體管陣列包含兩個(gè)或更多雙極晶體管，同時(shí)電阻以可能有用的方式連接到每個(gè)晶體管；通常在每個(gè)晶體管的發(fā)射極和基極端子之間有一個(gè)電阻，同時(shí)有另一個(gè)電阻連接到每個(gè)晶體管的基極端子和器件封裝上的用戶可訪問引腳。

• 芯片型號(hào)：

  NSBC113EPDXV6T1G

• 規(guī)格書：

  下載 下載2

• 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

  ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

• 廠商全稱：

  ON Semiconductor

• 中文名稱：

  安森美半導(dǎo)體公司

• 內(nèi)容頁數(shù)：

  15 頁

• 文件大小：

  181.62 kb

• 資料說明：

  Dual Bias Resistor Transistors