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NTH4L028N170M1

Marking：H4L028N170M1；Package：TO247-4L；Silicon Carbide (SiC) MOSFET, M1, TO-247-4L 1700 V, 28 mOhm

Features ?Typ.RDS(on)=28m@VGS=20V ?UltraLowGateCharge(QG(tot)=200nC) ?HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=200pF) ?100AvalancheTested ?TheseDevicesarePb?FreeandareRoHSCompliant TypicalApplications ?UPS ?DC/DCConverter ?BoostConverter

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NTH4L028N170M1

SiC N-Channel MOSFET

FEATURES ·HighBlockingVoltagewithLowOn-Resistance ·RDS(ON)=40mΩ（TYP.）@VGS=20VTj=25℃ ·HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance ·EasytoParallelandSimpletoDrive APPLICATIONS ·SolarInverters ·SwitchModePowerSupplies ·DC-DCConverters ·Motordrives

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

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更多NTH4L028N170M1供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-28 16:20:00

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