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NTMFS4C09NBT1G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè) ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

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  • 廠家型號(hào)：

    NTMFS4C09NBT1G

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ON(安森美)

  • 庫存數(shù)量：

    8000

  • 產(chǎn)品封裝：

    標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    2021/2022+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時(shí)間：

    2025-3-12 13:18:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：NTMFS4C09NBT1G品牌：ON(安森美)

原廠原裝現(xiàn)貨訂貨價(jià)格優(yōu)勢(shì)終端BOM表可配單提供樣品

NTMFS4C09NBT1G是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)。制造商ON(安森美)/onsemi生產(chǎn)封裝標(biāo)準(zhǔn)封裝/的NTMFS4C09NBT1G晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)分立式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用，它們具有高頻開關(guān)特性，同時(shí)又能承載大電流，使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢(shì)。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用，如果超出該額定電壓值，則 IGBT 等其他器件更具競(jìng)爭(zhēng)力。

  • 芯片型號(hào)：

    NTMFS4C09NBT1G

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    NTMFS4C09NBT1G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • FET 類型：

    N 通道

  • 技術(shù)：

    MOSFET（金屬氧化物）

  • 功率耗散（最大值）：

    760mW（Ta）

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 描述：

    MOSFET N-CH 30V SO8FL

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市利芯偉業(yè)科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    曹小姐/李小姐

  • 手機(jī)：

    18123723053

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    18123723053

  • 地址：

    深圳市南山區(qū)西麗街道大磡社區(qū)王京坑村87號(hào)南4102

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