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NV25256MUW3VTBG集成電路(IC)的存儲(chǔ)器規(guī)格書PDF中文資料
![NV25256MUW3VTBG](https://img.114ic.com/dgk/Renders/On%20Semi%20Renders/488~517DH~~8.jpg)
廠商型號(hào) |
NV25256MUW3VTBG |
參數(shù)屬性 | NV25256MUW3VTBG 封裝/外殼為8-UFDFN 裸露焊盤;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為集成電路(IC)的存儲(chǔ)器;產(chǎn)品描述:IC EEPROM 256KBIT SPI 8UDFN |
功能描述 | EEPROM Serial 256-Kb SPI Automotive Grade 1 in Wettable Flank UDFN8 Package |
絲印標(biāo)識(shí) | |
封裝外殼 | UDFN8 / 8-UFDFN 裸露焊盤 |
文件大小 |
250.95 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
12 頁 |
生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-2-7 14:06:00 |
NV25256MUW3VTBG規(guī)格書詳情
NV25256MUW3VTBG屬于集成電路(IC)的存儲(chǔ)器。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NV25256MUW3VTBG存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲(chǔ)容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。
Description
The NV25256 is a EEPROM Serial 256?Kb SPI Automotive
Grade 1 device internally organized as 32Kx8 bits. This features a
64?byte page write buffer and supports the Serial Peripheral Interface
(SPI) protocol. The device is enabled through a Chip Select (CS)
input. In addition, the required bus signals are clock input (SCK), data
input (SI) and data output (SO) lines. The HOLD input may be used to
pause any serial communication with the NV25256 device. The device
features software and hardware write protection, including partial as
well as full array protection.
On?Chip ECC (Error Correction Code) makes the device suitable
for high reliability applications.
Features
? Automotive AEC?Q100 Grade 1 (?40°C to +125°C) Qualified
? 10 MHz (5 V) SPI Compatible
? 1.8 V to 5.5 V Supply Voltage Range
? SPI Modes (0,0) & (1,1)
? 64?byte Page Write Buffer
? Additional Identification Page with Permanent Write Protection
? Self?timed Write Cycle
? Hardware and Software Protection
? Block Write Protection
? Protect 1/4, 1/2 or Entire EEPROM Array
? Low Power CMOS Technology
? 1,000,000 Program/Erase Cycles
? 100 Year Data Retention
? 8?pad Wettable Flank UDFN 2x3 mm Package
? This Device is Pb?Free, Halogen Free/BFR Free, and RoHS
Compliant
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào):
NV25256MUW3VTBG
- 制造商:
onsemi
- 類別:
集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器
- 系列:
Automotive, AEC-Q100
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 存儲(chǔ)器類型:
非易失
- 存儲(chǔ)器格式:
EEPROM
- 技術(shù):
EEPROM
- 存儲(chǔ)容量:
256Kb(32K x 8)
- 存儲(chǔ)器接口:
SPI
- 寫周期時(shí)間 - 字,頁:
5ms
- 電壓 - 供電:
1.8V ~ 5.5V
- 工作溫度:
-40°C ~ 125°C(TA)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
8-UFDFN 裸露焊盤
- 供應(yīng)商器件封裝:
8-UDFN(2x3)
- 描述:
IC EEPROM 256KBIT SPI 8UDFN
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TI |
1824+ |
UDFN-8 |
20 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
ON |
24+ |
原裝正品 |
65300 |
一級(jí)代理/放心采購 |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
22+ |
8UDFN |
6000 |
十年配單,只做原裝 |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
24+ |
N/A |
5000 |
只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
ON |
589220 |
16余年資質(zhì) 絕對(duì)原盒原盤 更多數(shù)量 |
詢價(jià) | ||||
ON/安森美 |
22+ |
N/A |
12245 |
現(xiàn)貨,原廠原裝假一罰十! |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
22+ |
8UDFN |
25000 |
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單 |
詢價(jià) | ||
ON |
21+ |
NA |
3000 |
進(jìn)口原裝 假一罰十 現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
ON |
23+ |
UFDFN8 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
21+ |
NA |
12820 |
只做原裝,質(zhì)量保證 |
詢價(jià) |