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P2600EB

Marking：P2600EB；Package：TO-92；Thyristor Surge Suppressors (TSS)

FeaturesandBenefits Lowvoltageovershoot Lowon-statevoltage Doesnotdegradesurgecapabilityaftermultiplesurgeevents withinlimit Failsshortcircuitwhensurgedinexcessofratings LowCapacitance

UNSEMIUN Semiconducctor INC

優(yōu)恩半導體深圳市優(yōu)恩半導體有限公司

P2600EC

Marking：P2600EC；Package：TO-92；Thyristor Surge Suppressors (TSS)

FeaturesandBenefits Lowvoltageovershoot Lowon-statevoltage Doesnotdegradesurgecapabilityaftermultiplesurgeevents withinlimit Failsshortcircuitwhensurgedinexcessofratings LowCapacitance

UNSEMIUN Semiconducctor INC

優(yōu)恩半導體深圳市優(yōu)恩半導體有限公司

P2600LA

Marking：P26LA；Package：DO-15；Thyristor Surge Suppressors (TSS)

FeaturesandBenefits Lowvoltageovershoot Lowon-statevoltage Doesnotdegradesurgecapabilityaftermultiplesurgeevents withinlimit Failsshortcircuitwhensurgedinexcessofratings LowCapacitance

UNSEMIUN Semiconducctor INC

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P2600LB

Marking：P26LB；Package：DO-15；Thyristor Surge Suppressors (TSS)

FeaturesandBenefits Lowvoltageovershoot Lowon-statevoltage Doesnotdegradesurgecapabilityaftermultiplesurgeevents withinlimit Failsshortcircuitwhensurgedinexcessofratings LowCapacitance

UNSEMIUN Semiconducctor INC

優(yōu)恩半導體深圳市優(yōu)恩半導體有限公司

P2600LC

Marking：P26LC；Package：DO-15；Thyristor Surge Suppressors (TSS)

FeaturesandBenefits Lowvoltageovershoot Lowon-statevoltage Doesnotdegradesurgecapabilityaftermultiplesurgeevents withinlimit Failsshortcircuitwhensurgedinexcessofratings LowCapacitance

UNSEMIUN Semiconducctor INC

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P2600SA

Marking：P26A；Package：DO-214AA；Thyristor Surge Suppressors (TSS)

FeaturesandBenefits Lowvoltageovershoot Lowon-statevoltage Doesnotdegradesurgecapabilityaftermultiplesurgeevents withinlimit Failsshortcircuitwhensurgedinexcessofratings LowCapacitance

UNSEMIUN Semiconducctor INC

優(yōu)恩半導體深圳市優(yōu)恩半導體有限公司

P2600SB

Marking：P26B；Package：DO-214AA；Thyristor Surge Suppresspr

Features Lowcapatcitance Cannotbedamagedbyvoltage Willnotfatigue Eliminatevoltageovershoot Glasspassivatedjunction HalogenfreeandRoHScompliant Applications CASE:SMBJ(DO-214AA)MoldedPlastic ULFlammabilityClassificationRating94V0 MountingPosition:Any

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

臺舟電子臺舟電子股份有限公司

P2600SB

Marking：P26B；Package：DO-214AA；Thyristor Surge Suppresspr

Features Lowcapatcitance Cannotbedamagedbyvoltage Willnotfatigue Eliminatevoltageovershoot Glasspassivatedjunction HalogenfreeandRoHScompliant

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

臺舟電子臺舟電子股份有限公司

P2600SB

Marking：P26B；Package：DO-214AA；Thyristor Surge Suppressors (TSS)

FeaturesandBenefits Lowvoltageovershoot Lowon-statevoltage Doesnotdegradesurgecapabilityaftermultiplesurgeevents withinlimit Failsshortcircuitwhensurgedinexcessofratings LowCapacitance

UNSEMIUN Semiconducctor INC

優(yōu)恩半導體深圳市優(yōu)恩半導體有限公司

P2600SC

Marking：P26C；Package：DO-214AA；Thyristor Surge Suppressors (TSS)

FeaturesandBenefits Lowvoltageovershoot Lowon-statevoltage Doesnotdegradesurgecapabilityaftermultiplesurgeevents withinlimit Failsshortcircuitwhensurgedinexcessofratings LowCapacitance

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替換型號

晶體管資料

  • 型號：

    P241

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產廠家：

  • 制作材料：

    Si-P+R

  • 性質：

    開關管 （S）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    50V

  • 最大電流允許值：

    0.1A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數：

    3

  • 可代換的型號：

    RT1P241S,

  • 最大耗散功率：

    0.3W

  • 放大倍數：

  • 圖片代號：

    A-57

  • vtest：

    50

  • htest：

    999900

  • atest：

    0.1

  • wtest：

    0.3

產品屬性

  • 產品編號：

    P2

  • 制造商：

    InfiRay Technology

  • 類別：

    光學檢測設備 > 相機

  • 包裝：

    散裝

  • 分辨率：

    256 x 192

  • 描述：

    SMARTPHONES THERMAL CAMERA

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多P2供應商 更新時間2025-4-24 16:14:00

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