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DDTA144EE-7-F

Marking：P20；Package：SOT523；PNP PRE-BIASED SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

Features -EpitaxialPlanarDieConstruction -ComplementaryNPNTypesAvailable(DDTC) -Built-InBiasingResistors,R1??R2 -TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) -HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) -QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability

DIODES

Diodes Incorporated

DDTA144VE-7-F

Marking：P21；Package：SOT523；PNP PRE-BIASED SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

Features -EpitaxialPlanarDieConstruction -ComplementaryNPNTypesAvailable(DDTC) -Built-InBiasingResistors,R1?R2 -TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) -HalogenandAntimonyFreeGreenDevice(Note3) -QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability

DIODES

Diodes Incorporated

DDTA144WE-7-F

Marking：P22；Package：SOT523；PNP PRE-BIASED SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

Features -EpitaxialPlanarDieConstruction -ComplementaryNPNTypesAvailable(DDTC) -Built-InBiasingResistors,R1?R2 -TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) -HalogenandAntimonyFreeGreenDevice(Note3) -QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability

DIODES

Diodes Incorporated

DMP2040USS-13

Marking：P2040US；Package：SO-8；P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Features LowOn-Resistance LowGateThresholdVoltage LowInputCapacitance FastSwitchingSpeed LowInput/OutputLeakage TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3)

DIODES

Diodes Incorporated

ESD5432N

Marking：P2.X；Package：DFN1006-3；Bi-directional TVS Diode

Features +Ultrasmallpackage:1.0x0.6x0.5mm *Verylowcapacitance:15pFtypical ?Ultralowleakage:nAlevel +Lowoperatingvoltage:+5V +Lowclampingvoltage +3-pinleadlesspackage ?Upto2-lineprotects +Complieswithfollowingstandards: —IEC61000-4-2(ESD)immunitytest. Air

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

臺舟電子臺舟電子股份有限公司

ESD5452N

Marking：P2.X；Package：DFN1006-3；Bi-directional TVS Diode

Features +Ultrasmallpackage:1.0x0.6x0.5mm *Verylowcapacitance:15pFtypical ?Ultralowleakage:nAlevel +Lowoperatingvoltage:+5V +Lowclampingvoltage +3-pinleadlesspackage ?Upto2-lineprotects +Complieswithfollowingstandards: —IEC61000-4-2(ESD)immunitytest. Air

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

臺舟電子臺舟電子股份有限公司

ESD9NS5V

Marking：P2.X；Package：DFN1006-3；Bi-directional TVS Diode

Features +Ultrasmallpackage:1.0x0.6x0.5mm *Verylowcapacitance:15pFtypical ?Ultralowleakage:nAlevel +Lowoperatingvoltage:+5V +Lowclampingvoltage +3-pinleadlesspackage ?Upto2-lineprotects +Complieswithfollowingstandards: —IEC61000-4-2(ESD)immunitytest. Air

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

臺舟電子臺舟電子股份有限公司

ESDBL5V0F2

Marking：P2.X；Package：DFN1006-3；Bi-directional TVS Diode

Features +Ultrasmallpackage:1.0x0.6x0.5mm *Verylowcapacitance:15pFtypical ?Ultralowleakage:nAlevel +Lowoperatingvoltage:+5V +Lowclampingvoltage +3-pinleadlesspackage ?Upto2-lineprotects +Complieswithfollowingstandards: —IEC61000-4-2(ESD)immunitytest. Air

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

臺舟電子臺舟電子股份有限公司

FDFMA2P029Z

Marking：P29；Package：WDFN6；P-Channel MOSFET

Features MOSFET ?MaxrDS(on)=95matVGS=–4.5V,ID=–3.1A ?MaxrDS(on)=141matVGS=–2.5V,ID=–2.5A ?HBMESDProtectionLevel>2.5kV(Note1) Schottky ?VF

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FDFMA2P029Z-F106

Marking：P29；Package：WDFN6；P-Channel MOSFET

Features MOSFET ?MaxrDS(on)=95matVGS=–4.5V,ID=–3.1A ?MaxrDS(on)=141matVGS=–2.5V,ID=–2.5A ?HBMESDProtectionLevel>2.5kV(Note1) Schottky ?VF

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

替換型號

晶體管資料

  • 型號：

    P241

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-P+R

  • 性質(zhì)：

    開關(guān)管 （S）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    50V

  • 最大電流允許值：

    0.1A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    RT1P241S,

  • 最大耗散功率：

    0.3W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    A-57

  • vtest：

    50

  • htest：

    999900

  • atest：

    0.1

  • wtest：

    0.3

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    P2

  • 制造商：

    InfiRay Technology

  • 類別：

    光學(xué)檢測設(shè)備 > 相機

  • 包裝：

    散裝

  • 分辨率：

    256 x 192

  • 描述：

    SMARTPHONES THERMAL CAMERA

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更多P2供應(yīng)商 更新時間2025-4-24 16:14:00

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