首頁>PD57006TR-E>詳情

PD57006TR-E 分立半導體產品晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 STMICROELECTRONICS/意法半導體

PD57006TR-E參考圖片

圖片僅供參考，請參閱產品規(guī)格書

訂購數量 價格
1+
  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：PD57006TR-E品牌：ST

一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨

PD57006TR-E是分立半導體產品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻。制造商ST/STMicroelectronics生產封裝NA/PowerSO-10RF 裸露底部焊盤（2 條成形引線）的PD57006TR-E晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

  • 芯片型號：

    PD57006TR-E

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    STMICROELECTRONICS【意法半導體】詳情

  • 廠商全稱：

    STMicroelectronics

  • 中文名稱：

    意法半導體集團

  • 內容頁數：

    22 頁

  • 文件大小：

    512.2 kb

  • 資料說明：

    RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs

產品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產品編號：

    PD57006TR-E

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    LDMOS

  • 頻率：

    945MHz

  • 增益：

    15dB

  • 額定電流（安培）：

    1A

  • 功率 - 輸出：

    6W

  • 封裝/外殼：

    PowerSO-10RF 裸露底部焊盤（2 條成形引線）

  • 供應商器件封裝：

    PowerSO-10RF（成形引線）

  • 描述：

    TRANSISTOR RF POWERSO-10

供應商

  • 企業(yè)：

    艾睿國際（香港）有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    Amy

  • 手機：

    15813737183

  • 詢價：
  • 電話：

    15813737183

  • 地址：

    香港上環(huán)永樂街121-125號永達商業(yè)大廈3樓A室

相近型號