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首頁(yè)>PD57018STR-E>芯片詳情
PD57018STR-E 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書(shū)下載
原廠料號(hào):PD57018STR-E品牌:ST
原裝優(yōu)勢(shì)絕對(duì)有貨
PD57018STR-E是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻。制造商ST/STMicroelectronics生產(chǎn)封裝PowerSO-10RF/PowerSO-10 裸露底部焊盤(pán)的PD57018STR-E晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類(lèi)型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
- 芯片型號(hào):
PD57018STR-E
- 規(guī)格書(shū):
- 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng):
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】詳情
- 廠商全稱(chēng):
STMicroelectronics
- 中文名稱(chēng):
意法半導(dǎo)體集團(tuán)
- 內(nèi)容頁(yè)數(shù):
25 頁(yè)
- 文件大小:
944.64 kb
- 資料說(shuō)明:
RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs
產(chǎn)品屬性
更多- 類(lèi)型
描述
- 產(chǎn)品編號(hào):
PD57018STR-E
- 制造商:
STMicroelectronics
- 類(lèi)別:
- 包裝:
托盤(pán)
- 晶體管類(lèi)型:
LDMOS
- 頻率:
945MHz
- 增益:
16.5dB
- 額定電流(安培):
2.5A
- 功率 - 輸出:
18W
- 封裝/外殼:
PowerSO-10 裸露底部焊盤(pán)
- 供應(yīng)商器件封裝:
PowerSO-10RF(直引線)
- 描述:
TRANSISTOR RF POWERSO-10
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市金嘉銳電子有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
朱先生 周先生 李小姐
- 手機(jī):
13530907567
- 詢(xún)價(jià):
- 電話:
086-0755-22929859
- 傳真:
086-0755-83238620
- 地址:
深圳市福田區(qū)振興路華康大廈2棟211
相近型號(hào)
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