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PDTA123EM分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF中文資料

PDTA123EM
廠商型號

PDTA123EM

參數(shù)屬性

PDTA123EM 封裝/外殼為3-XFDFN;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置;產(chǎn)品描述:TRANS PREBIAS PNP 50V DFN1006B-3

功能描述

PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 2.2 kΩ

絲印標(biāo)識

F7

封裝外殼

SOT883 / 3-XFDFN

文件大小

421.92 Kbytes

頁面數(shù)量

15

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-24 20:00:00

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PDTA123EM規(guī)格書詳情

FEATURES

?Built-in bias resistors

?Simplified circuit design

?Reduction of component count

?Reduced pick and place costs.

APPLICATIONS

?General purpose switching and amplification

?Inverter and interface circuits

?Circuit driver.

DESCRIPTION

PNP resistor-equipped transistor (see “Simplified outline, symbol and pinning” for package details).

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    PDTA123EMB,315

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    PNP - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    30 @ 20mA,5V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    150mV @ 500μA,10mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    1μA

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    3-XFDFN

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    DFN1006B-3

  • 描述:

    TRANS PREBIAS PNP 50V DFN1006B-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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