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PDTC115TMB分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
PDTC115TMB |
| 參數(shù)屬性 | PDTC115TMB 封裝/外殼為3-XFDFN；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預(yù)偏置；產(chǎn)品描述：TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN |
| 功能描述 | NPN resistor-equipped transistor; R1 = 100 k廓, R2 = open |
| 絲印標識 | |
| 封裝外殼 | DFN1006B-3 / 3-XFDFN |
| 文件大小 |
615.64 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
12 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Nexperia B.V. All rights reserved |
| 企業(yè)簡稱 |
NEXPERIA【安世】 |
| 中文名稱 | 安世半導體(中國)有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-3-23 22:59:00 |
| 人工找貨 | PDTC115TMB價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
PDTC115TMB,315
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
NPN - 預(yù)偏壓
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 1mA，5V
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
150mV @ 250μA，5mA
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
1μA
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
3-XFDFN
- 供應(yīng)商器件封裝：
DFN1006B-3
- 描述：
TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Nexperia(安世) |
23+ |
SOT8833 |
7350 |
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詢價 | ||
NXP/恩智浦 |
23+ |
NA/ |
30000 |
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詢價 | ||
NXP |
2020+ |
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NXP/恩智浦 |
24+ |
SOT-883B |
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NXP US |
21+ |
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詢價 | |||
Nexperia/安世 |
22+ |
SOT883B |
300000 |
原廠原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
NXPSemiconductors |
24+ |
SST3(SOT-23-3) |
215 |
詢價 | |||
Nexperia |
2022+ |
原廠原包裝 |
8600 |
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詢價 | ||
Nexperia(安世) |
2447 |
SOT-883B |
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NXP/恩智浦 |
22+ |
SOT23 |
20000 |
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詢價 |
