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PDTC123EM

NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k廓, R2 = 2.2 k廓

DESCRIPTION NPNresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplif

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PDTC123EM

Marking：G1；Package：SOT883；NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 2.2 kΩ

FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification ?Inverterandinterfacecircuits ?Circuitdriver.

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PDTC123EM

PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 2.2 kΩ

FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification ?Inverterandinterfacecircuits ?Circuitdriver.

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PDTC123EM

Marking：G1；Package：DFN1006-3；50 V, 100 mA NPN resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 2.2 kΩ

1.Generaldescription NPNResistor-EquippedTransistor(RET)inanleadlessultrasmallSOT883(SC-101)Surface- MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PDTA123EM 2.Featuresandbenefits ?Built-inbiasresistors ?Simplifiescircuitdesign ?Reducescomponentcount ?Red

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PDTC123EM

NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k-ohm, R2 = 2.2 k-ohm

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PDTC123EMB

Marking：00110011；Package：DFN1006B-3；NPN resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 k廓, R2 = 2.2 k廓

Generaldescription NPNResistor-EquippedTransistor(RET)inaleadlessultrasmallDFN1006B-3(SOT883B)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PDTA123EMB. Featuresandbenefits ■100mAoutputcurrentcapability ■Reducescomponentcount ■Built-inbiasresistors ■

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PDTC123EM,315

Package：SC-101，SOT-883；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置 描述：TRANS PREBIAS NPN 50V DFN1006-3

Nexperia USA Inc.

Nexperia USA Inc.

Nexperia USA Inc.

PDTC123EMB,315

Package：3-XFDFN；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置 描述：TRANS PREBIAS NPN 50V DFN1006B-3

Nexperia USA Inc.

Nexperia USA Inc.

Nexperia USA Inc.

PDTC123ES

NPNresistor-equippedtransistors;R1=2.2k廓,R2=2.2k廓

DESCRIPTION NPNresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplif

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PDTC123ES

NPNresistor-equippedtransistors;R1=2.2k-ohm,R2=2.2k-ohm

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    PDTC123EM

  • 功能描述：

    開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    ON Semiconductor

  • 晶體管極性：

    NPN/PNP

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    200 mA

  • 最大工作頻率：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    50 V

  • 集電極連續(xù)電流：

    150 mA

  • 功率耗散：

    200 mW

  • 封裝：

    Reel

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
NEXPERIA/安世
22+
SOT883
8900
英瑞芯只做原裝正品!!!
 詢價(jià)
NEXPERIA/安世
23+
SMT
98311
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價(jià)格優(yōu)勢、品種
 詢價(jià)
NEXPERIA/安世
22+
SOT883
50000
原裝正品.假一罰十
 詢價(jià)
NEXPERIA/安世
22+
SOT883
10990
原裝正品
 詢價(jià)
NEXPERIA/安世
24+
SOT883
300000
全新原裝現(xiàn)貨庫存
 詢價(jià)
NEXPERIA/安世
2023+
SOT883
48000
AI智能識別、工業(yè)、汽車、醫(yī)療方案LPC批量及配套一站
 詢價(jià)
NEXPERIA/安世
23+
SOT883
89630
當(dāng)天發(fā)貨全新原裝現(xiàn)貨
 詢價(jià)
NXP SEMICONDUCTORS
2023+
SMD
20000
安羅世紀(jì)電子只做原裝正品貨
 詢價(jià)
NEXPERIA/安世
SOT883
23+
300000
授權(quán)代理/原廠FAE技術(shù)支持
 詢價(jià)
NXP
25+
SOT883
188600
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨 歡迎咨詢
 詢價(jià)
更多PDTC123EM供應(yīng)商 更新時間2025-3-24 15:20:00

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