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PHD96NQ03LT中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PHD96NQ03LT
廠商型號

PHD96NQ03LT
功能描述

N-channel TrenchMOS logic level FET
文件大小

331.74 Kbytes
頁面數(shù)量

14 頁
生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA【安世】

中文名稱

安世半導體(中國)有限公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-29 10:13:00
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PHD96NQ03LT規(guī)格書詳情

1.1 General description

Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic

package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in

computing, communications, consumer and industrial applications only.

1.2 Features and benefits

Low conduction losses due to low

on-state resistance

Simple gate drive required due to low

gate charge

1.3 Applications

DC-to-DC convertors

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    PHD96NQ03LT

  • 功能描述：

    MOSFET TAPE13 MOSFET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
PHI
08+
400
普通
 詢價
恩XP
24+
TO-252
504370
免費送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
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22+
NA
45000
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