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PTF210451E分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

PTF210451E
廠商型號

PTF210451E

參數(shù)屬性

PTF210451E 封裝/外殼為2-扁平封裝,葉片引線;包裝為托盤;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:IC FET RF LDMOS 45W H-30265-2

功能描述

LDMOS RF Power Field Effect Transistor 45 W, 2110-2170 MHz
IC FET RF LDMOS 45W H-30265-2

封裝外殼

2-扁平封裝,葉片引線

文件大小

406.9 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-19 22:30:00

PTF210451E規(guī)格書詳情

PTF210451E屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的PTF210451E晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

Description

The PTF210451 is a 45 W internally matched GOLDMOS FET intended for WCDMA applications from 2110 to 2170 MHz. Full gold metallization ensures excellent device lifetime and reliability.

Features

? Internal matching for wideband performance

? Typical two–carrier WCDMA performance

- Average output power = 11.5 W

- Gain = 14 dB

- Efficiency = 27

- IM3 = –37 dBc

? Typical CW performance

- Output power at P–1dB = 50 W

- Linear gain = 14 dB

- Efficiency = 53

? Integrated ESD protection: Human Body Model,

Class 1 (minimum)

? Excellent thermal stability

? Low HCI Drift

? Capable of handling 10:1 VSWR @ 28 V,

45 W (CW) output power

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    PTF210451E V1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 系列:

    GOLDMOS?

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    2.17GHz

  • 增益:

    14dB

  • 額定電流(安培):

    1μA

  • 功率 - 輸出:

    45W

  • 封裝/外殼:

    2-扁平封裝,葉片引線

  • 供應商器件封裝:

    H-30265-2

  • 描述:

    IC FET RF LDMOS 45W H-30265-2

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