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RFD12N06中文資料友臺(tái)半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

RFD12N06
廠商型號(hào)

RFD12N06

功能描述

60V N-Channel MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

12N06LE

封裝外殼

TO-252

文件大小

503.43 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Guangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

UMW友臺(tái)半導(dǎo)體

中文名稱

廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-21 22:30:00

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RFD12N06規(guī)格書詳情

Features

? Ultra Low On-Resistance

- RDS(ON) < 63mΩ(VGS= 10V)

- RDS(ON) <71mΩ(VGS= 5V)

? Peak Current vs Pulse Width Curve

? UIS Rating Curve

? Switching Time vs RGS Curves

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    RFD12N06

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor Corporation

  • 功能描述:

    MOSFET N D-PAK

  • 功能描述:

    MOSFET, N, D-PAK

  • 功能描述:

    MOSFET, N, D-PAK; Transistor

  • Polarity:

    N Channel; Continuous Drain Current

  • Id:

    17A; Drain Source Voltage

  • Vds:

    60V; On Resistance

  • Rds(on):

    70mohm; Rds(on) Test Voltage

  • Vgs:

    10V; Threshold Voltage Vgs

  • Typ:

    3V; Power Dissipation

  • Pd:

    49W ;RoHS

  • Compliant:

    Yes

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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