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RFL1N20中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

RFL1N20
廠商型號(hào)

RFL1N20

功能描述

1A, 180V and 200V, 3.65 Ohm, N-Channel Power MOSFETs

文件大小

96.15 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡稱

NJSEMI新澤西半導(dǎo)體

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-23 11:10:00

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RFL1N20規(guī)格書詳情

Description

These are N-channel enhancement mode silicon-gate power field-effect transistors designed for applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers, relay drivers and drivers for high-power bipolar switching transistors requiring high speed and low gate-drive power. These types can be operated directly from integrated circuits.

Features

? 1A, 80V and 100V

? rDS(ON) = 1.200?

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    RFL1N20

  • 制造商:

    INTERSIL

  • 制造商全稱:

    Intersil Corporation

  • 功能描述:

    1A, 180V and 200V, 3.65 Ohm, N-Channel Power MOSFETs

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
英德錫爾
23+
CAN3
11200
原廠授權(quán)一級(jí)代理、全球訂貨優(yōu)勢(shì)渠道、可提供一站式BO
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