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SIC820A

80AVRPower?,SmartPowerStageWithCurrentSensing

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIE820DF

N-Channel20-V(D-S)MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHF820

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipationlev

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHF820

N-Channel650V(D-S)MOSFET

FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ?ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

SIHF820A

PowerMOSFET

FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandcurrent ?EffectiveCossSpecified ?Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS ?SwitchModePowerSupply(SMPS)

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHF820A

N-Channel650V(D-S)MOSFET

FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ?ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

SIHF820AL

PowerMOSFET

FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ?EffectiveCossspecified ?Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS ?SwitchModePowerSupply(SMPS)

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHF820AL

PowerMOSFET

FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalanche VoltageandCurrent ?EffectiveCossspecified ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHF820AS

PowerMOSFET

FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ?EffectiveCossspecified ?Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS ?SwitchModePowerSupply(SMPS)

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHF820AS

N-Channel650V(D-S)MOSFET

FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ?ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

晶體管資料

  • 型號(hào)：

    SDD820

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質(zhì)：

    通用 （G）

  • 封裝形式：

    貼片封裝

  • 極限工作電壓：

    50V

  • 最大電流允許值：

    0.1A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號(hào)：

    3DG130B,

  • 最大耗散功率：

    0.6W

  • 放大倍數(shù)：

    β=60

  • 圖片代號(hào)：

    G-22

  • vtest：

    50

  • htest：

    999900

  • atest：

    0.1

  • wtest：

    0.6

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
23+
T251 252
11200
原廠授權(quán)一級(jí)代理、全球訂貨優(yōu)勢(shì)渠道、可提供一站式BO
 詢(xún)價(jià)
BRIGHTKING/君耀
24+
DFN1006
10000
絕對(duì)原裝正品現(xiàn)貨假一罰十
 詢(xún)價(jià)
S
TO-251
22+
6000
十年配單,只做原裝
 詢(xún)價(jià)
S
22+
TO-251
25000
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專(zhuān)注配單
 詢(xún)價(jià)
SAMHOP
2024+
TO252
50000
原裝現(xiàn)貨
 詢(xún)價(jià)
24+
N/A
58000
一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇
 詢(xún)價(jià)
INVENTRONICS (HANGZHOU), INC.
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最新現(xiàn)貨庫(kù)存
 詢(xún)價(jià)
INVENTRONICSHANGZHOUINC
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原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì)
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INVENTRONICSHANGZHOUINC
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原裝正品,歡迎來(lái)電咨詢(xún)!
 詢(xún)價(jià)
更多SDD820供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-26 11:10:00

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