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SIHF820AS

PowerMOSFET

FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalanche VoltageandCurrent ?EffectiveCossspecified ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SiHF820L

DynamicdV/dtrating

DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.? TheD2PAK(TO-263)isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizeuptoHEX-4.Itprov

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHF820L

PowerMOSFET

FEATURES ?Surfacemount ?Availableintapeandreel ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Simpledriverequirements ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note? *Thisdatashee

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SiHF820S

DynamicdV/dtrating

DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.? TheD2PAK(TO-263)isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizeuptoHEX-4.Itprov

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHF820S

N-Channel650V(D-S)MOSFET

FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ?ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

SIHF820S

PowerMOSFET

FEATURES ?Surfacemount ?Availableintapeandreel ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Simpledriverequirements ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note? *Thisdatashee

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHFI820G

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialappl

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIR820DP

N-Channel30V(D-S)MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIR820DP

N-Channel30V(D-S)MOSFET

TFUNKVishay Telefunken

威世威世（VISHAY）集團(tuán)

SK820

MINIATURESCHOTTKYBARRIERRECTIFIER

ReverseVoltage-20to100Volts ForwardCurrent-8.0Amperes FEATURES .PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 .Metalsliiconjunction,majoritycarrietconduction .Guardringforovercoltageprotection .Lowpowerloss,highefficien

CHENG-YICHENG-YI ELECTRONIC CO., LTD.

辰頤電子辰頤電子有限公司

晶體管資料

  • 型號：

    SDD820

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質(zhì)：

    通用 （G）

  • 封裝形式：

    貼片封裝

  • 極限工作電壓：

    50V

  • 最大電流允許值：

    0.1A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    3DG130B,

  • 最大耗散功率：

    0.6W

  • 放大倍數(shù)：

    β=60

  • 圖片代號：

    G-22

  • vtest：

    50

  • htest：

    999900

  • atest：

    0.1

  • wtest：

    0.6

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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原廠授權(quán)一級代理、全球訂貨優(yōu)勢渠道、可提供一站式BO
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更多SDD820供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-26 11:10:00

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