首頁(yè)>SI4463CDY-T1-GE3>芯片詳情

SI4463CDY-T1-GE3_VISHAY/威世科技_MOSFET P CH W/D 20V 18.6A SO8中天科工一部

SI4463CDY-T1-GE3

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    SI4463CDY-T1-GE3

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    Vishay Siliconix

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    30000

  • 產(chǎn)品封裝：

    8-SOIC

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    24+

  • 庫(kù)存類型：

    熱賣庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-2-15 14:14:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào)：SI4463CDY-T1-GE3品牌：Vishay Siliconix

晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品

  • 芯片型號(hào)：

    SI4463CDY-T1-GE3

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    VISHAY【威世科技】詳情

  • 廠商全稱：

    Vishay Siliconix

  • 中文名稱：

    威世科技半導(dǎo)體

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    9 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    218.24 kb

  • 資料說(shuō)明：

    P-Channel 2.5 V (G-S) MOSFET

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    SI4463CDY-T1-GE3

  • 制造商：

    Vishay Siliconix

  • 功能描述：

    MOSFET P CH W/D 20V 18.6A SO8

  • 功能描述：

    MOSFET, P CH, W/D, 20V, 18.6A, SO8

  • 制造商：

    Vishay Intertechnologies

  • 功能描述：

    P-Channel 60 V 0.008 Ohm 5 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8

  • 功能描述：

    MOSFET, P CH, W/D, 20V, 18.6A, SO8; Transistor

  • Polarity：

    P Channel; Continuous Drain Current

  • Id：

    -18.6A; Drain Source Voltage

  • Vds：

    -20V; On Resistance

  • Rds(on)：

    0.006ohm; Rds(on) Test Voltage

  • Vgs：

    -10V; Power Dissipation

  • Pd：

    5W ;RoHS

  • Compliant：

    Yes

  • 制造商：

    Vishay

  • 功能描述：

    Trans MOSFET P-CH 20V 13.6A 8-Pin SOIC N T/R

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    李先生

  • 手機(jī)：

    13128990370

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    13128990370/微信同號(hào)

  • 傳真：

    原裝正品

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)賽格廣場(chǎng)54層5406-5406B

相近型號(hào)