SI4686DY-T1_VISHAY/威世科技_MOSFET 30V 18.2A 5.2W 9.5mohm @ 10V柯?tīng)柣娮?/h1>

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

訂購(gòu)數(shù)量	價(jià)格
1+	面議

• 廠家型號(hào)：

  SI4686DY-T1

• 產(chǎn)品分類(lèi)：

  芯片

• 生產(chǎn)廠商：

  VISHAY

• 庫(kù)存數(shù)量：

  39820

• 產(chǎn)品封裝：

  SOP8

• 生產(chǎn)批號(hào)：

  23+24

• 庫(kù)存類(lèi)型：

  常用庫(kù)存

• 更新時(shí)間：

  2025-2-15 10:18:00

數(shù)據(jù)手冊(cè) 更多貨源

• 詳細(xì)信息
• 規(guī)格書(shū)下載

原廠料號(hào)：SI4686DY-T1品牌：VISHAY

原裝正品優(yōu)勢(shì)渠道價(jià)格合理.可開(kāi)13%增值稅

• 芯片型號(hào)：

  SI4686DY-T1-E3

• 規(guī)格書(shū)：

  下載

• 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

  VISHAY【威世科技】詳情

• 廠商全稱(chēng)：

  Vishay Siliconix

• 中文名稱(chēng)：

  威世科技半導(dǎo)體

• 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

  10 頁(yè)

• 文件大小：

  240.61 kb

• 資料說(shuō)明：

  N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

產(chǎn)品屬性

• 類(lèi)型

  描述

• 型號(hào)：

  SI4686DY-T1

• 功能描述：

  MOSFET 30V 18.2A 5.2W 9.5mohm @ 10V

• RoHS：

  否

• 制造商：

  STMicroelectronics

• 晶體管極性：

  N-Channel

• 汲極/源極擊穿電壓：

  650 V

• 閘/源擊穿電壓：

  25 V

• 漏極連續(xù)電流：

  130 A 電阻汲極/源極

• RDS（導(dǎo)通）：

  0.014 Ohms

• 配置：

  Single

• 安裝風(fēng)格：

  Through Hole

• 封裝/箱體：

  Max247

• 封裝：

  Tube