首頁>SI7491DP-T1-E3>芯片詳情

SI7491DP-T1-E3_VISHAY/威世科技_MOSFET 30V 18A 5.0W 8.5mohm @ 10V寶隆宏業(yè)3部

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    SI7491DP-T1-E3

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    VISHAY/威世

  • 庫存數(shù)量：

    8903

  • 產(chǎn)品封裝：

    QFN8

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    2021+

  • 庫存類型：

    優(yōu)勢(shì)庫存

  • 更新時(shí)間：

    2025-2-6 14:08:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào)：SI7491DP-T1-E3品牌：VISHAY/威世

誠信經(jīng)營..品質(zhì)保證..價(jià)格優(yōu)勢(shì)

  • 芯片型號(hào)：

    SI7491DP-T1-E3

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    VISHAY【威世科技】詳情

  • 廠商全稱：

    Vishay Siliconix

  • 中文名稱：

    威世科技半導(dǎo)體

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    8 頁

  • 文件大?。?/span>

    159.41 kb

  • 資料說明：

    P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    SI7491DP-T1-E3

  • 功能描述：

    MOSFET 30V 18A 5.0W 8.5mohm @ 10V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市寶隆宏業(yè)科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    雷大大

  • 手機(jī)：

    19918968264

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-82735152

  • 傳真：

    0755-23604729

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路賽格廣場(chǎng)58樓5801室

相近型號(hào)