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SIHB18N60E

E Series Power MOSFET

FEATURES .Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg .Lowinputcapacitance(Ciss) .Reducedswitchingandconductionlosses .Ultralowgatecharge(Qg) .Avalancheenergyrated(UIS) .Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS .

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHB18N60E

Marking：D2PAK；Package：TO-263；iscN-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

18N60

600VN-CHANNELPOWERMOSFET

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

18N60

POLARHVHIPERFETPOWERMOSFET

DESCRIPTION TheUTC18N60usesUTC’sadvancedproprietary,planarstripe,DMOStechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithlowgatevoltages.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. FEATURES *RDS(ON)≤0.5?@VGS=10V,ID=9A *Ul

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

18N60

18A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

18N60

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

18N60

FastSwitching

?FEATURES ?DrainCurrentID=18A@TC=25℃ ?DrainSourceVoltage:VDSS=600V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance:RDS(on)=0.4Ω(Max) ?FastSwitching ?APPLICATIONS ?Switchmodepowersupply.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXFA18N60X

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXFA18N60X

PreliminaryTechnicalInformation

IXYS

IXYS Corporation

IXFH18N60P

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=18A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.4Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

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VISHAY/威世
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更多SIHB18N60E供應(yīng)商 更新時間2025-2-14 14:30:00

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