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SIHB23N60E-GE3

E Series Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHP23N60E-GE3

ESeriesPowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    SIHB23N60E-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET 600V 158mOhm@10V 23A N-Ch E-SRS

  • RoHS:

  • 制造商:

    Vishay/Siliconix

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    20 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    23 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.158 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 最大工作溫度:

    + 150 C

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    D2PAK-3

  • 封裝:

    Bulk

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
Vishay Siliconix
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更多SIHB23N60E-GE3供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-12 18:14:00