SP8J66TB1 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 陣列 Rohm Semiconductor

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廠家型號：
SP8J66TB1
產(chǎn)品分類：
芯片
生產(chǎn)廠商：
Rohm Semiconductor
庫存數(shù)量：
9350
產(chǎn)品封裝：
8-SOIC(0.154 3.90mm 寬)
生產(chǎn)批號：
24+
庫存類型：
常用庫存
更新時間：
2025-2-7 9:34:00

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原廠料號：SP8J66TB1品牌：Rohm Semiconductor

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SP8J66TB1是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 陣列。制造商Rohm Semiconductor生產(chǎn)封裝8-SOIC(0.154 3.90mm 寬)/8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）的SP8J66TB1晶體管 - FET，MOSFET - 陣列場效應(yīng)晶體管 (FET) 是使用電場控制電流流動的電子器件。向柵極端子施加電壓會改變漏極端子和源極端子之間的電導(dǎo)率。FET 也稱為單極型晶體管，因?yàn)槠渖婕皢屋d流子類型的操作。也就是說，F(xiàn)ET 在操作中使用電子或空穴作為載流子，而不是同時使用兩者。場效應(yīng)晶體管通常在低頻下顯示出極高的輸入阻抗。

芯片型號：
SP8J66TB1
規(guī)格書：
下載
資料說明：
MOSFET P-CH DUAL 30V 9A 8SOIC

產(chǎn)品屬性

類型
描述
產(chǎn)品編號：
SP8J66TB1
制造商：
Rohm Semiconductor
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
包裝：
卷帶（TR）
FET 類型：
2 個 P 溝道（雙）
FET 功能：
標(biāo)準(zhǔn)
漏源電壓（Vdss）：
30V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：
9A
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：
8-SOP
描述：
MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOIC

供應(yīng)商

企業(yè)：
深圳市宏捷佳電子科技有限公司
商鋪：
進(jìn)入商鋪
聯(lián)系人：
許小姐
手機(jī)：
13530520535
詢價：
電話：
0755-83201583/83214703
傳真：
0755-22669259
地址：
福田區(qū)華強(qiáng)北路上步工業(yè)區(qū)102棟620室

SP8J66TB1 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 陣列 Rohm Semiconductor

SP8J66TB1

產(chǎn)品屬性

供應(yīng)商

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