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SPB11N60C2中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

SPB11N60C2
廠商型號(hào)

SPB11N60C2

功能描述

Cool MOS??Power Transistor

絲印標(biāo)識(shí)

11N60C2

封裝外殼

P-TO263-3-2

文件大小

160.17 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-2-13 14:15:00

SPB11N60C2規(guī)格書詳情

Feature

1. New revolutionary high voltage technology

2. Ultra low gate charge

3. Periodic avalanche rated

4. Extreme dv/dt rated

5. Ultra low effective capacitances

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    SPB11N60C2

  • 制造商:

    Rochester Electronics LLC

  • 功能描述:

    - Bulk

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
Infineon
18+
NA
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進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)
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一級(jí)代理商進(jìn)口原裝現(xiàn)貨、假一罰十價(jià)格合理
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百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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