SSM6J505NU_V01中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號	SSM6J505NU_V01
功能描述	MOSFETs Silicon P-Channel MOS
文件大小	276.69 Kbytes
頁面數(shù)量	9 頁
生產(chǎn)廠商	Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱	TOSHIBA【東芝】
中文名稱	株式會社東芝官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
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更新時間	2025-2-22 22:59:00
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1. Applications

? Power Management Switches

2. Features

(1) 1.2 V gate drive voltage.

(2) Low drain-source on-resistance

: RDS(ON) = 61 mΩ (max) (@VGS = -1.2 V)

RDS(ON) = 30 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V)

RDS(ON) = 21 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V)

RDS(ON) = 16 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V)

RDS(ON) = 12 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V)

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