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首頁(yè)>STGB8NC60KT4>芯片詳情
STGB8NC60KT4 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體
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原廠料號(hào):STGB8NC60KT4品牌:ST/意法
進(jìn)口原裝房間現(xiàn)貨實(shí)庫(kù)實(shí)數(shù)
STGB8NC60KT4是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ST/意法/STMicroelectronics生產(chǎn)封裝TO263/TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB的STGB8NC60KT4晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號(hào):
STGB8NC60KT4
- 制造商:
STMicroelectronics
- 類別:
- 系列:
PowerMESH?
- 包裝:
管件
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
2.75V @ 15V,3A
- 開(kāi)關(guān)能量:
55μJ(開(kāi)),85μJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:
17ns/72ns
- 測(cè)試條件:
390V,3A,10 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
- 供應(yīng)商器件封裝:
D2PAK
- 描述:
IGBT 600V 15A 65W D2PAK
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市中福國(guó)際管理有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
李先生
- 手機(jī):
13534030369
- 詢價(jià):
- 電話:
4000-969-680
- 地址:
深圳市福田區(qū)福虹路世貿(mào)廣場(chǎng)B座22F
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